CCD型束流截面探测器

CCD型束流截面探测器的主要特点是使用电荷耦合器件做传感器,用束流同步光中的可见光成份做为信号源。该探测器同时具有模拟量和数字量两种输出,工作周期短,速度高,不影响束团粒子寿命,在电子储存环物理运行中,是一种有效的探测设备。     

重入腔预聚束器的研制

本文介绍了中间型重入腔预聚束器的设计公式、测量方法,并以BEPC预聚束器为例,给出了计算和测量结果。     

静电加速器和串列静电加速器金属梯感应输电系统的研制

本文介绍了金属梯感应输电系统的工作原理、主要技术关。并给出了我们的研制情况和实验结果。     

适用于辐射加工的谷氨酰胺晶溶发光剂量计及其BPLL型测量装置

本文介绍了我们实验室研制的BPLL型晶溶发光剂量计的测量装置。本装置采用直流电流积分法。选用GDB-52型光电倍增管做光探测器,使用NWF-02A型微电流放大器和电压—频率转换器。装置的灵敏度可进行调节,对于剂量测量,八小时的稳定性是令人满意的。48个测量数据的平均值的标准偏差为±0.4％。在此装置上对适用于辐射加工的谷氨酰胺晶溶发光剂量计的剂量学特性进行了研究。谷氨酰胶的剂量响应线性范围为10~2～10~4Gy。论述了溶剂的温度、样品的质量对光产额的影响以及射线照射后的存贮效应。     

ECR离子源原理及其磁场分析计算

文章介绍了ECR离子源的发展历史和一般原理;给出了它产生高电荷态离子所必须的工作条件;着重讨论了磁场对源内等离子体性能的影响。基于对CAPRICE源磁镜场及六极约束场的计算,给出了该源磁场较精确的数量概念,这对了解它的磁路结构及磁场场型特点以及各铁元件的功能十分有益。通过对计算数据的分析,发现该源在磁路结构及场型上还有尚待修改的地方。所有这些对我们现有ECR源的调试、运行及局部改进提供了可靠的依据。     

强流中子发生器中子产额测定

文章简述兰州大学3.3×10~(12)n/s强流中子发生器14MeV中子产额的测定。采用三种方法的七个测量手段进行比对测量。虽然在测试过程中遇到很强的中子本底、γ射线本底和电磁干扰,最终还是得到合理的比对结果。尤其是45°偏转半导体符合望远镜和~(238)U裂变室在不同束流下进行的比对测量结果说明两台测量装置在很宽的量程内测量稳定、可信。     

重离子核反应中的中子辐射屏蔽计算

在分析重离子核反应中中子的产生和有关保健物理数据的基础上,确定了用于屏蔽计算的核反应系统和计算参数,计算了单核能为100MeV、束流强度为3.9×10~(11)离子/s的~(12)C离子轰击Cu靶时距靶5m和10m处达到不同中子剂量当量率时需要设置的混凝土(ρ=2.3g/cm~3)屏蔽厚度。